Com identificar els transistors terminals?

1, Revisió bàsica del coneixement
Els transistors es divideixen principalment en dues categories: transistors bipolars (BJTS) i transistors d'efecte de camp (FETs). En el context dels dispositius terminals, sovint trobem transistors bipolars, especialment NPN i PNP BJTS. La diferència principal entre aquests dos transistors rau en el seu tipus de portador i la direcció del flux de corrent.
La majoria dels transistors segueixen determinades regles d’identificació de PIN, que ens ajuden a identificar ràpidament el tipus i la funció del transistor. Per als transistors amb formes d’embalatge comunes com el fins a 92, l’ordenació del PIN sol ser (d’esquerra a dreta o de dalt a baix): emissor (e), base (b), col·leccionista (c). Tanmateix, pot haver -hi diferències entre diferents fabricants i formularis d’envasament, de manera que s’han de consultar manuals de dades específics en aplicacions pràctiques.
2, Mètode per identificar transistors terminals
En primer lloc, podem determinar de forma preliminar el tipus i la forma d’envasament del transistor mitjançant la inspecció visual. L’observació de les característiques d’aparició dels transistors, com ara la mida del paquet, l’ordenació de PIN, els símbols d’etiquetatge, etc., ens pot proporcionar informació bàsica sobre els tipus de transistor.
El mètode més directe i precís per a models de transistor desconeguts és consultar el seu manual de dades. El manual de dades conté informació clau com ara especificacions detallades, definicions de PIN, característiques elèctriques i condicions de funcionament dels transistors. Si comparem les descripcions del manual de dades amb les característiques físiques, podem identificar de forma ràpida i precisa el tipus de transistor.
En absència d’un manual de dades o de funcions d’aparença poc clara, podem utilitzar un multímetre per provar la tensió del pin i les característiques de corrent dels transistors, per tal de determinar el seu tipus i funció. A continuació, es mostren alguns passos bàsics de prova:
Configureu el multímetre al mode de resistència o al mode de prova de díode.
Base de prova i emissor: connecteu una sonda del multímetre a la base i l’altra sonda a l’emissor i col·leccionista en seqüència. Observeu el valor de resistència o la caiguda de tensió del díode que es mostra al multímetre per determinar el biaix endavant i inversa entre la base i l'emissor.
Col·leccionista i emissor de proves: de la mateixa manera, poseu una sonda d’un multímetre en contacte amb el col·leccionista i l’altra sonda en contacte amb l’emissor i observeu canvis en la resistència de resistència o de tensió del díode.
Cal destacar que a causa de les diferents característiques dels transistors PNP i dels transistors NPN, els seus valors de resistència i les gotes de tensió del díode durant les proves també poden variar. Per tant, és necessari observar i analitzar detingudament els resultats de la prova durant el procés de prova.
En alguns casos, si hem conegut tipus i especificacions dels transistors a mà, podem intentar utilitzar mètodes de substitució per identificar transistors desconeguts. Traieu el transistor desconegut del circuit i substituïu -lo per un transistor conegut. Si el circuit substituït pot funcionar normalment i té un rendiment constant, es pot determinar que el transistor desconegut és del mateix tipus que el transistor conegut.
3, precaucions
Anti-estàtic: Quan es gestiona components electrònics com els transistors, és important parar atenció a les mesures antiestàtiques. La descàrrega electrostàtica (ESD) pot danyar parts sensibles dels components.
Eviteu els danys mecànics: quan es desmunti i instal·leu transistors, manegeu -los suaument per evitar danys mecànics com els pins doblats o trencats.
Connexió correcta: després d’identificar el tipus i els pins del transistor, assegureu -vos que estiguin connectats correctament al circuit. Els mètodes de connexió incorrectes poden causar fallades del circuit o danys del transistor.
Manual de dades de referència: quan no se sap sobre els paràmetres i les característiques específiques d’un transistor, és important consultar el manual de dades rellevant per obtenir informació precisa.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-silicon-epitaxial-planar-transistor.html