Com utilitzar un multímetre per trobar l'HFE d'un transistor?

1, Entendre els conceptes bàsics de HFE
En primer lloc, hem d'aclarir la definició d'HFE. HFE fa referència a la relació entre el corrent del col·lector IC i el corrent base IB d'un transistor en un circuit emissor comú, és a dir, HFE=IC/IB. Aquest paràmetre reflecteix la capacitat del transistor per convertir petits canvis en el corrent de base en canvis més grans en el corrent del col·lector.
2, Treball de preparació
Abans d'iniciar el mesurament, assegureu-vos que teniu un multímetre i un transistor que funcionen per provar. Mentrestant, com que la mesura directa de l'HFE requereix circuits de prova específics, és possible que hàgiu de preparar alguns components addicionals, com ara resistències, fonts d'alimentació i cables de connexió per crear un entorn de prova senzill.
3, Construeix un circuit de prova
Per mesurar HFE, hem de construir un circuit de prova basat en la connexió de l'emissor comú del transistor. Aquest circuit inclou normalment una font d'alimentació de CC (utilitzada per proporcionar voltatge de polarització al transistor), una resistència de càrrega (connectada entre el col·lector del transistor i la font d'alimentació) i una resistència o potenciòmetre per ajustar el corrent base.
Connecteu la font d'alimentació i la càrrega: primer, connecteu el pol positiu de la font d'alimentació de CC al col·lector del transistor i el pol negatiu a la terra (o pol negatiu) del circuit. A continuació, connecteu una resistència de càrrega entre el col·lector del transistor i el terminal negatiu de la font d'alimentació.
Establiu la polarització de la base: a continuació, connecteu la base al pol positiu de la font d'alimentació mitjançant una resistència o un potenciòmetre per proporcionar el corrent de base necessari. La mida d'aquesta resistència s'ha d'ajustar segons les característiques del transistor per garantir que funcioni a la regió d'amplificació.
Connecteu un multímetre: connecteu una sonda del multímetre a l'emissor del transistor i l'altra sonda a terra (o negatiu) per mesurar el corrent de l'emissor IE (tot i que això no és una mesura directa de HFE, IE està relacionat tant amb IC com amb IB). Tanmateix, més directament, és possible que necessiteu un altre multímetre per controlar el corrent de base IB (que sol ser més difícil de mesurar directament, però que es pot estimar indirectament ajustant la resistència de polarització de la base i observant els canvis en el corrent IC del col·lector).
4, Mesura indirecta de HFE
A causa de la dificultat de mesurar directament HFE, normalment utilitzem mètodes indirectes per estimar-lo.
Ajusteu el corrent de base: observeu el canvi en el corrent del col·lector IC canviant el valor de la resistència de polarització base. Tingueu en compte que a mesura que augmenta IB, IC també hauria d'augmentar proporcionalment, però aquesta proporció (és a dir, HFE) es veurà afectada pels paràmetres interns del transistor i les condicions del circuit.
Enregistrar dades: enregistreu els valors de corrent del col·lector corresponents a múltiples corrents base diferents. A continuació, calculeu els valors HFE (IC/IB) en aquests punts. A causa de possibles errors en les mesures reals, es recomana fer la mitjana de diversos punts per obtenir una estimació més precisa de l'HFE.
Tenint en compte la influència de la temperatura: Val la pena assenyalar que el HFE del transistor variarà amb la temperatura. Per tant, és important mantenir una temperatura ambient estable durant el procés de mesura i registrar la informació de la temperatura un cop finalitzada la mesura.
5, utilitzeu instruments especialitzats
Tot i que un multímetre pot estimar indirectament l'HFE d'un transistor, una manera més precisa i còmoda és utilitzar un provador de transistors o un instrument gràfic dedicat. Aquests instruments poden mesurar i mostrar directament l'HFE i altres paràmetres clau dels transistors, proporcionant una gran comoditat per als enginyers electrònics.
https://www.trrsemicon.com/transistor/isc-thyristors-bt169gw.html