Coneixement

一, la lògica subjacent de la substitució domèstica: la doble impuls de la iteració tecnològica i la pressió del mercat. El desfasament de la capacitat de producció final - ha impulsat la demanda de su

一, els requisits estrictes per al rendiment del díode en la miniaturització 1. Equilibri entre les característiques de freqüència - i paràmetres paràsits en mòduls de comunicació d'ones mil·limètrique

1, Demanda d’alta freqüència: 5G i una onada de mil·límetre impulsen la innovació en els díodes de radiofreqüència en el rerefons de la densitat de l’estació base 5G que arriba a 10 per quilòmetre qua

1, Material Revolution: Rashaping el límit de rendiment dels semiconductors de banda ampla Silicon tradicional - basats en els díodes estan limitats per les propietats del material i experimenten una

一, els requisits de rendiment dels díodes en comunicació d’ones mil·límetres Les característiques d’alta freqüència de la banda de freqüència d’ona mil·límetre (longitud d’ona 1-10mm) imposen requisit

1, alta freqüència i alta - Velocitat: innovació del dispositiu que es trenca a través dels límits físics 6G Comunicació Terahertz (0,1-10 THZ) presenta requisits de rendiment sense precedents per als

一, el principi tècnic i el valor bàsic del díode Control de biaix 1. Mecanisme de compensació de temperatura: Resolució del problema de la distorsió tèrmica Quan un amplificador de potència està en fu

一, Principi tècnic: Des de les característiques dels components fins a la protecció del nivell del sistema 1. Mecanisme de protecció dels díodes El díode de supressió transitori de TVS aconsegueix una

1, escenaris de risc típics per a les interfícies de comunicació Els efectes destructius de la descàrrega electrostàtica (ESD) prenent com a exemple la interfície USB 2.0, la seva característica inter

一, Característiques dels díodes: la base física de limitar els circuits La conductivitat unidireccional dels díodes prové de les característiques de distribució del portador de les juntes PN. Quan la

一, Estratègia de disseny de protecció per als díodes de TVS 1. Posos posicionament de nodes de protecció Els díodes de TVS han de desplegar -se a l’entrada del senyal per formar la primera barrera pro

Com incrustar díodes en circuits de comunicació integrats híbrids?