Coneixement

MOSFET de senyal petit amb protecció ESD 2n7002k El 2n7002k és un MOSFET de senyal petit versàtil que proporciona una excel·lent protecció ESD per a una varietat d'aplicacions. Aquest dispositiu DMOS

Els rectificadors de barrera Schottky SS310 són components altament eficients i amb baixa pèrdua de potència que són ideals per a la col·locació automatitzada. Ofereixen un rendiment superior en compa

SMA4748 és un tipus de díode zener perfecte per a aplicacions de superfície, amb una potència dissipada d'1,0W. Aquests díodes es construeixen amb tècniques epitaxials i tenen un corrent invers baix,

El TL431 és un regulador de derivació versàtil i de precisió que ofereix una àmplia gamma de funcions per utilitzar-les en una varietat d'aplicacions. Aquest regulador ajustable té un coeficient de te

N-Channel MOSFET IRLML0060TRPBF és un dispositiu altament eficient que està dissenyat per oferir un rendiment òptim en una sèrie d'aplicacions. Aquest dispositiu compta amb un disseny TrenchFET® Power

TRANSISTOR 2N2907A: un transistor PNP epitaxial pla de silici d'alta velocitat El 2N2907A és un transistor PNP epitaxial pla de silici d'alta velocitat que s'utilitza àmpliament en una varietat d'apli

Característiques de conducció del transistor MOS La conducció vol dir actuar com un interruptor, equivalent al tancament de l'interruptor. La característica de NMOS és que Vgs conduirà quan superi un

El xip UC3842 és un controlador de mode de corrent de freqüència fixa d'alt rendiment. Els fabricants habituals són: Onsemi Semiconductor, Fairchild Semi, Texas Instruments, Motorola i altres empreses

Introducció al principi de funcionament del tiristor

Els paràmetres principals del tiristor El valor nominal del corrent d'estat (IT) es refereix al corrent de treball estable màxim, conegut comunament com a corrent. La IT del tiristor d'ús comú és gene

Característiques del tiristor 1. El valor mitjà d'un corrent de mitja ona sinusoïdal de 50 Hz que pot passar contínuament entre l'ànode i el càtode en determinades condicions sota el corrent nominal I

L'embalatge ha passat aproximadament pel següent procés de desenvolupament: En termes d'estructura. A → DIP → PLCC → QFP → BGA → CSP. Pel que fa als materials. Metalls, ceràmica, ceràmica, plàstics i