Transistor PMOS millorat

En els últims anys, els transistors millorats PMOS (coneguts oficialment com a transistor semiconductor d'òxid metàl·lic de canal p) han cridat molta atenció a la indústria dels semiconductors. A causa del seu excel·lent consum d'energia i rendiment, els transistors millorats PMOS s'han utilitzat àmpliament i s'han convertit en un important punt d'investigació en indústries d'alt impacte.

Els transistors millorats PMOS han evolucionat a partir de la infraestructura PMOS. En els transistors PMOS, la conducció s'aconsegueix formant canals de tipus n sobre un substrat de tipus p, forçant els electrons a revertir. Però aquesta fuga fa que el transistor PMOS no tingui eficiència en escenaris de funcionament de baixa potència. Per tant, els transistors millorats PMOS es milloren sobre la base de l'estructura del transistor PMOS, substituint l'alta impedància dels canals de tipus n als transistors PMOS per regions actives de font/drenatge de tipus n. Aquesta millora pot reduir eficaçment el consum d'energia causat per fuites i millorar l'eficiència dels transistors.

L'aparició dels transistors millorats PMOS és principalment per omplir les deficiències del PMOS en escenaris d'aplicació de baixa potència. En escenaris de treball de baixa potència, els transistors PMOS que són ineficients a causa de les fuites sempre han estat un problema en comparació amb els transistors NMOS. Per tant, l'aparició de transistors millorats PMOS proporciona una nova ruta per resoldre aquest problema. A més, els transistors millorats PMOS també tenen altres avantatges únics.

En primer lloc, els transistors millorats PMOS tenen una bona amplada de banda i velocitat. Això es deu principalment a que la unió PN entre la connexió de la regió activa i el substrat en l'estructura de disseny dels transistors millorats PMOS ajuda a millorar la velocitat del transistor, millorant molt la seva velocitat de transmissió de dades.

En segon lloc, els transistors millorats PMOS tenen corrents de fuga més baixes. Quan el tub del transistor no funciona, el corrent de fuga del transistor sempre existeix, cosa que pot provocar un consum d'energia excessiu. L'estructura millorada dels transistors millorats PMOS pot reduir eficaçment el corrent de fuga, reduint així el consum d'energia.

A més, els transistors millorats PMOS substitueixen la construcció NMOS en CMOS en comparació amb un altre tipus de transistors: els transistors CMOS. En dissenys de DRAM d'alta densitat basats en unitats 1T-DRAM, el rendiment dels transistors millorats PMOS pot arribar al doble del de la font d'alimentació de 0.8V en les mateixes condicions d'àrea. Per tant, els transistors millorats PMOS tenen majors perspectives de desenvolupament en el disseny de DRAM d'alta densitat.

Mentrestant, els transistors millorats PMOS també poden millorar el seu rendiment i estabilitat mitjançant la introducció de tècniques de processament com la microestructura i l'epitaxia, ampliant el seu rang d'aplicacions. Per exemple, amb injecció de corrent de feix baix, el rendiment dels transistors millorats PMOS es pot millorar en un 30%. A més, la purificació dels cristalls epitaxials d'òxid pot reduir eficaçment l'impacte de les impureses d'oxigen en els transistors millorats PMOS, millorar la seva fiabilitat i estabilitat.

https://www.trrsemicon.com/transistor/p-channel-enhancement-mode-field-effect.html