Què farà malbé el transistor?

1, Factors físics
1. Sobretensió i sobreintensitat
La sobretensió i la sobreintensitat són els factors físics més comuns que causen danys als transistors. Quan la tensió o corrent que suporta un transistor supera el seu valor nominal, pot causar conseqüències greus com ara la ruptura de la unió PN, la crema de la capa de metal·lització o la ruptura del cable de plom. La sobretensió pot ser causada per factors externs, com ara llamps, descàrregues electrostàtiques i fluctuacions de potència, mentre que la sobreintensitat pot ser causada per un disseny de circuits no raonable, curtcircuits de càrrega o sobrecàrrega.
2. Temperatura
La temperatura alta és una altra causa important de l'envelliment i el dany dels transistors. Els transistors generen calor durant el funcionament. Si la dissipació de calor és deficient o la temperatura ambient és massa alta, pot provocar un augment de la temperatura interna del transistor, que al seu torn accelera l'envelliment del material, redueix el rendiment i pot provocar una ruptura tèrmica. Per contra, els entorns extrems de baixa temperatura també poden tenir efectes adversos sobre els transistors, com ara afectar la mobilitat del portador.
2, Factors químics
1. Corrosió
La capa metal·litzada i les agulles de la superfície dels transistors es corroeixen fàcilment per substàncies químiques del medi ambient, com ara humitat, gasos àcids i alcalins, esprai de sal, etc. Aquestes substàncies químiques poden reaccionar amb metalls, provocant corrosió, oxidació i fins i tot fractures, per tant afectant el rendiment elèctric i la resistència mecànica dels transistors.
2. Contaminació
La pols, l'oli i altres contaminants de l'aire també poden adherir-se a la superfície dels transistors, formant una pel·lícula conductora o una capa d'aïllament que dificulta la dissipació de la calor. Aquests contaminants no només afecten l'efecte de dissipació de calor dels transistors, sinó que també poden provocar errors com curtcircuits i fuites.
3, factors mecànics
1. Tensió mecànica
Els transistors poden estar sotmesos a esforços mecànics durant la instal·lació, el transport o l'ús, com ara vibracions, impactes, flexió, etc. Aquestes tensions mecàniques poden causar soltes, trencaments o flexió dels components interns dels transistors, afectant així les seves connexions elèctriques i el rendiment. estabilitat.
2. Danys a l'embalatge
L'embalatge d'un transistor serveix com a barrera protectora, però també pot ser danyat per factors externs. L'envelliment, l'esquerdament i la deformació dels materials d'embalatge poden provocar una fallada de l'embalatge, fent que el transistor perdi la protecció i es faci malbé.
4, Factors elèctrics
1. Descàrrega electrostàtica (ESD)
Les descàrregues electrostàtiques són una de les causes habituals de danys als transistors. En ambients secs, les persones, la roba, els equips, etc. poden portar electricitat estàtica. Quan aquests objectes amb electricitat estàtica entren en contacte amb el transistor, alliberaran instantàniament una gran quantitat de càrrega, provocant que la unió PN dins del transistor es trenqui o que la capa metal·litzada es cremi.
2. Interferència electromagnètica (EMI)
La interferència electromagnètica també pot tenir efectes adversos sobre els transistors. Els camps electromagnètics forts poden interferir amb l'estat de funcionament normal dels transistors, provocant una distorsió del senyal, un augment del soroll i fins i tot una fallada funcional.

https://www.trrsemicon.com/transistor/p-channel-enhancement-mode-field-effect.html