Quines marques de comunicació utilitzen àmpliament - díodes finals als seus dispositius?

一, avenços tecnològics de les marques de comunicació internacionals
1. Huawei: Revolució dels díodes de carbur de silici a les estacions base 5G
Huawei ha substituït els dispositius basats en silici tradicionals - amb díodes Schottky de carbur de silici (sic) en el seu disseny massiu de l'antena Mimo, aconseguint un augment significatiu de l'eficiència de síntesi de potència. Per exemple, un determinat model d’estació base augmenta la potència de sortida d’un sol canal de 40W a 64W mitjançant el díode de recuperació Ultrafast SIC (UFRD) i l’eficiència del sistema arriba al 48%, que és de 6 punts percentuals superiors a la solució tradicional. Aquest avenç s’atribueix a les característiques de banda ampla de BandGap dels materials SIC, que tenen una força de camp elèctric en desglossament 10 vegades la del silici, una reducció del 70% en resistència i una reducció significativa de les pèrdues de commutació i la dissipació tèrmica.
Al mòdul de potència de l'estació base, Huawei adopta un disseny col·laboratiu de GaN Hemt i sic díode, que permet que l'eficiència de la subministrament d'alimentació de comunicació de 48V superi el 96%. Optimitzant les característiques de recuperació inversa del díode (QRR reduït de 50nc a 5nc), combinades amb la tecnologia de refrigeració de microcanal, la densitat de potència del dispositiu arriba a 1kW/L, i la temperatura de la unió del díode es manté estable per sota de 85 graus, complint els alts - de desplegament de requisits de les estacions de base de 5G.
2.
Ericsson aplica àmpliament els díodes de la tecnologia Super Junction en els mòduls frontals de RF -, aconseguint una homogeneïtzació de camp elèctric disposant de columnes P/N alternativament, reduint la caiguda de tensió de conducció (VF) de diodes de 600V Sic Schottky de 1,7V a 1,1V. En els escenaris de la comunicació d’ones mil·limètriques (24 - 100GHz), el seu auto - desenvolupat Diode MOSFET Estructura redueix la resistència a la conducció a 0,5 m ω · cm ² i redueix el temps de recuperació inversa a 5Ns, complint els requisits de commutació d’alta velocitat de 5G NR (nova ràdio) per a RF senyals.
A més, Ericsson utilitza díodes Pin amb envasos de plom de feix en equips de comunicació per satèl·lit per aconseguir una velocitat de resposta de nivell de 0,5NS per als circuits de commutació de l'antena. Aquest dispositiu redueix la tensió de superació del senyal de 5V a 0,5V eliminant la inductància encapsulada (LPAR<0.5nH), significantly improving system stability.
3. Nokia: fotodíodes innovadors en mòduls de transmissió òptica
Nokia utilitza el fotodiode de Pin de silici de SAKO Micro SL9302 en el seu mòdul de transmissió òptica 400G/800G per aconseguir un avenç en la sensibilitat de recepció del senyal òptic. Aquest dispositiu millora la resposta a 0,9A/W (@ 1550Nm) i redueix el corrent fosc a 0,1NA optimitzant el gruix de la capa I -, que suporta la transmissió lliure de relé de més de 100 km. En els sistemes de comunicació òptica coherents, l'amplada de banda 3DB de SL9302 arriba a 30 GHz, complint els requisits del format de modulació PAM4 per a la detecció de senyal de velocitat alta -.
2, Pràctica de substitució domèstica de les marques de comunicació domèstica
1. ZTE: tecnologia de rectificació síncrona en mòduls òptics
ZTE Corporation ha substituït els díodes tradicionals per N - tipus MOSFETS en els seus mòduls òptics de 5g frontal -, aconseguint un salt en eficiència de rectificació sincrònica. Per exemple, el seu mòdul òptic 25G ajusta dinàmicament l’angle de conducció MOSFET, augmentant l’eficiència de conversió de potència del 85% al ​​94% i estalvia fins a 1,2 milions d’electricitat per mòdul per any. Aquesta tecnologia redueix el consum d'energia en un 60% eliminant la caiguda de tensió fixa (VF ≈ 0,7V) del díode, alhora que redueix la dificultat del disseny tèrmic.
En el camp de l’alimentació de l’estació base, ZTE ha col·laborat amb Suzhou Gude per desenvolupar díodes rectificadors SIC SBD, que redueixen la caiguda de tensió endavant (VF =0.3 v) en un 80% en comparació amb els díodes de recuperació ràpida tradicionals i escurcen el temps de recuperació inversa (TRR {{2} NS) en un 70%. El dispositiu es manté estable dins del rang de temperatura de -40 graus fins a +125 grau, complint els estàndards de fiabilitat estrictes dels equips de comunicació.
2.
Les comunicacions de fibra utilitzen díodes de televisió unidireccional de Littelfuse (com ara SMAJ5.0A) als seus commutadors del centre de dades per aconseguir la protecció electrostàtica per a 10/1000Base - T ports Ethernet. Optimitzant l'estructura d'unió PN, el temps de resposta d'aquest dispositiu s'escurça a 1PS, la precisió de la tensió de subjecció es controla al ± 5%i pot suportar la descàrrega d'aire de 30kV i la descàrrega de contacte de 15kV, complint l'estàndard IEC 61000-4-5.
Al mòdul òptic del centre de dades 400G, Fibrehome va col·laborar amb Vishay per desenvolupar un díode de capacitança paràsit baix de capacitança (CJ =0.5 PF), que redueix l’atenuació del senyal a sota de 0,1DB i admet la transmissió sense pèrdues de senyals PAM4. Aquest dispositiu redueix l’ocupació de l’espai del PCB un 60% mitjançant l’adopció d’envasos de muntatge de superfície (SMD), que compleix els requisits de desplegament de densitat alts - dels centres de dades.
3. Comunicació Jingxin: selecció de díodes de freqüència alts -
La comunicació Jingxin utilitza àmpliament díodes de freqüència alta - com ara 1N4148 i SS14 per aconseguir la detecció i rectificació del senyal a les seves estacions de base de 5g. Per exemple, 1N4148 aconsegueix la detecció de sensibilitat -40DBM a la banda de freqüència de 2,4 GHz WI FI 6E amb el seu temps de recuperació inversa 8NS i la capacitat de la unió 4PF; El díode SS14 Schottky té una caiguda de tensió cap endavant de 0,3V i una caiguda de tensió inversa de 40V, que satisfà la baixa tensió i les altes necessitats d’alimentació de corrent de petites estacions base.
A les estacions de base petita d’ona mil·límetre, Jingxin ha introduït díodes BAP64-03 RF. Optimitzant el gruix de la capa epitaxial, la pèrdua d’inserció de senyals de 10Gbps es controla dins de 0,5dB i el soroll de fase es redueix a -160dbc/Hz, complint els requisits estrictes de 5G NR per al rendiment de RF.