Descripció
Full de dades FDD4141
FDD4141 Detalls del producte
Descripció general
Aquest MOSFET de canal P s'ha produït mitjançant la tecnologia PowerTrench® patentada de Fairchild Semiconductor per oferir un baix rDS (activat) i una capacitat Bvdss optimitzada per oferir un rendiment superior a les aplicacions. i la capacitat de rendiment de commutació optimitzada que redueix les pèrdues de dissipació de potència en aplicacions de convertidor/inversor.
Característiques
rDS màxim (activat)= 12.3mΩat VGS= -10V, ID= -12.7A
rDS màxim (activat){{0}}.0mΩa VGS= -4.5V, ID= -10.4A
Tecnologia de trinxeres d'alt rendiment per a un rDS extremadament baix (activat)
Qualificat per AEC Q101
Conforme a RoHS
Etiquetes populars: p-channel power mosfe, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, distribuïdors, cotització, inventari, Shenzhen, OEM, en estoc
Enviar la consulta
Potser també t'agrada
