Transistor de SILICI S8550

Full de dades del transistor S8550

CARACTERÍSTIQUES

Gratuït per a S8050

Corrent del col·lector: IC=0.5A

PUNTUACIONS MÀXIMES (Ta=25 grau tret que s'indiqui el contrari)

Paràmetre

Símbol Condicions de prova Mínim Màx Unitat

Tensió de ruptura col·lector-base

V(BR)CBO

IC=-100μA, IE=0

-40 V 

Tensió de ruptura col·lector-emissor

V(BR)CEO IC =-1mA, IB=0 -25 V

Tensió de ruptura emissor-base

V(BR)EBO

IE= -100μA, IC=0

-5 V 

Corrent de tall del col·lector

ICBO VCB= -40V, IE=0 -0.1

μA 

Corrent de tall del col·lector

ICEO VCE= -20V, IB=0 -0.1

μA 

Corrent de tall de l'emissor

IEBO VEB= -3V, IC=0 -0.1

μA 

hFE(1) VCE= -1V, IC= -50mA 120 400

Guany de corrent DC

hFE(2) VCE= -1V, IC= -500mA 50

Tensió de saturació col·lector-emissor

VCE(sat) IC=-500mA, IB= -50mA -0,6 V

Tensió de saturació base-emissor

VBE (sat)

IC=-500mA, IB= -50mA -1,2 V

Freqüència de transició

fT

VCE= -6V, IC= -20mA

f=30MHz

150 MHz

CARACTERÍSTIQUES ELÈCTRIQUES (Ta=25)

El transistor S8550, també conegut com a transistor d'unió bipolar PNP, és un component electrònic popular utilitzat en una varietat d'aplicacions. Aquest transistor pot gestionar corrents de col·lector de fins a 700 mA i voltatges col·lector-emissor de fins a 20 volts, el que el fa adequat per a moltes aplicacions de baixa potència.

Una de les característiques clau del transistor S8550 és la seva complementarietat amb el transistor UTC S8050, que és un transistor d'unió bipolar NPN. Aquesta característica la converteix en una opció ideal per a aplicacions que requereixen amplificació de potència o circuits de commutació senzills.

Una altra característica important del transistor S8550 és que és lliure d'halògens, que és respectuós amb el medi ambient i es considera un avantatge important en la fabricació electrònica moderna. L'ús de materials sense halògens en components electrònics s'està convertint ràpidament en una pràctica estàndard a la indústria.

Algunes aplicacions habituals del transistor S8550 inclouen amplificadors d'àudio, preamplificadors de micròfons i reguladors de tensió. A més, també s'utilitza en circuits de commutació de baixa potència, com ara controladors LED, controladors de motor i relés.

Quan utilitzeu transistors S8550, és essencial tenir en compte alguns paràmetres de funcionament. Per exemple, el guany màxim d'aquest transistor és d'uns 630 i la seva dissipació de potència màxima és de 625 miliwatts. Un altre factor crucial a tenir en compte és la tensió de l'emissor base, que normalment oscil·la entre 0,6 volts i 0,7 volts.

El transistor S8550 és un component versàtil i fiable, adequat per a una àmplia gamma d'aplicacions de baixa potència. La seva complementarietat amb l'UTC S8050, l'elevat corrent del col·lector i la tensió emissor-col·lector el converteixen en una opció ideal per a diversos circuits d'amplificació i commutació de potència. El fet que sigui lliure d'halògens el converteix també en una opció respectuosa amb el medi ambient.

FRQ

P: Proporcioneu una mostra? És gratuït?

R: Si la mostra té un valor baix, us proporcionarem 20-30 unitats perquè la proveu.

P: On es troba la vostra fàbrica?

R: A la província de Zhejiang

Etiquetes populars: SILICON Transistor S8550, Xina, proveïdors, fabricants, fàbrica, distribuïdors, cotització, inventari, Shenzhen, OEM, en estoc